周二,上证指数受外围市场影响低开1.28%,但并未延续弱势格局,而是反弹走强,最终收涨1.06%。今日,上证指数延续强势,最高涨至3100.90点后震荡回调最终收涨0.75%。可以看出,在3100点这个重要关口的压力还是比较大的,即便今天成交量有所放大也未能站稳。因此,上证指数从低位2683.65反弹以来或来到了阶段的反弹高位,短线需要留意上方较大压力的风险。
盘面上,最近两天表现亮眼的板块较多,其中,半导体可以算一个。半导体指数从去年高位震荡回调以来,最大跌幅超60%,回撤幅度不可谓不大。从板块估值来看,当前半导体PE为42.62倍,处于多年的相对低位。可以说,半导体板块已经具备一定的估值优势。
图为半导体最近三年的市盈率走势图
来源:点掌财经
从行业基本面来看,一季度半导体行业的平均净利润为1.32亿,同比增长44.94%,延续了去年的高增长率状态,净利润率也进一步提升。可以说,半导体景气度依然比较高,仍然非常值得关注。
图为半导体最近三年的市盈率走势图
来源:点掌财经
而实际上,半导体是一个非常庞大的行业,产业链包括设计、制造、封测、设备、材料5大方块。可以说每一个方块都至关重要,如下图所示:
在上图中,IGBT是半导体中一个非常景气的概念之一,中文名字叫做绝缘栅型双极型晶体管,属于硅基功率器件门槛最高的赛道之一。IGBT相当于一个非通即断的开关,可以调节电路中的电压、电流、频率、相位等,保证电力设备或电子产品正常运行,并能实现节能高效效果。IGBT具有耐高压特性,自上个世纪80年代产业化以来发展迅速,已广泛应用于电压在650~6500V的高电压高功率场景,如工业、新能源车、光伏、风能、家电、智能电网、高铁动车等领域。
近年来在新能源车、光伏、风能、家电等下游需求拉动下,IGBT行业规模保持快速增长态势,根据测算,去年全球IGBT市场空间已接近550亿元,过去4年复合增速接近20%,且未来4年仍有望保持20%的高增速。
综上,半导体从业绩、估值等方便看,仍然值得关注,特别是IGBT等景气细分赛道未来的成长空间仍然较高,更加值得投资者关注。
不过,需要注意的是,当前不管半导体指数,还是IGBT景气赛道,从K线中长线看属于明显的下跌走势,短期的反弹暂未改变这样的下跌格局。因此,最近的反弹仅以短线的思路看待为主。叠加上证指数短线受到上方3100点重要关口的压制,半导体板块或也来到了阶段性反弹的高位附近,短线也需要留意风险。
图为半导体最近一年的日K线走势图
来源:点掌财经
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