美国商务部激活拒绝令促使中兴事件持续发酵,国内核心芯片缺失的产业现状愈加显现。此次事件或促使国内核心芯片产业的政策扶持力度加大,国产替代进程加速。光芯片作为光模块和光设备的核心,成本占比大且硅光集成或驱动其成本占比继续提升。
在光通信行业中,光模块是一种重要的也是收入占比最大的有源光器件,主要用于信号的电—光(发送)和光—电(接收)的转换。而光芯片是光模块的核心元件,且以有源光芯片为主。光芯片的主要工作原理为受激吸收与受激辐射,在泵浦源的驱动下,通过芯片产生单色性好、相干性好、方向性好的激光。 从光器件产业链上看,光芯片处于光器件行业的上游,属于高度技术密集型产品,具有高技术壁垒的特点,占据了光器件产业链的制高点。
在有源光器件中,目前最核心的的光芯片主要分为 :DFB(分布反馈激光器)芯片、EML(电吸收调制激光器)芯片VCSEL(垂直腔面发射激光器)芯片等发射端芯片。
在光器件中,芯片具有最高的技术壁垒,而相对电芯片,光芯片集成度较低,所用的发光材料 III-VI 族化合物价格也较贵,因此其在光器件或光模块的成本占比一直居高不下,接近 50%。
硅光技术驱动光器件集成度高、体积小、功耗低及成本低,成为产业未来确定的发展趋势。近年来,硅光技术持续发展,由于技术和性能的优势更加凸显,渗透率或较大程度提升。硅光技术所驱动的芯片集成度加大有望继续提升光芯片成本占比。硅光时代,光芯片重要性更加凸显。
近几年,中国光通信市场高速发展,国内光通信器件市场占到全球 25%-30%左右的市场份额.目前,全球主要光芯片厂商多数在美国和日本,从产品技术上看,全球主要光器件厂商积极布局光芯片、光模块等产品,达到 100Gb/s 速率的技术水平。
国内光芯片市场起步较晚,且以民营中小企业为主,在组装和代工方面具有明显的成本优势,在技术研发和投入实力方面较为薄弱。
从整体上看,国内的光器件产品主要集中在中低端产品,凭借成本优势在组装和代工领域占据全球主要市场分额。但在高速光芯片上的国产化率较低,主要产品集中在 10G及以下的光模块。其中,小于 10Gb/s 的光芯片国产化率达到 80%,10Gb/s 速率的光芯片国产化率接近 50%。而 25Gb/s 及以上的速率的光芯片则高度依赖出口,高端光芯片的国产化率仅为 3%。
中美贸易摩擦仍在持续,近期中国仍将受制于高端芯片技术缺失的不足。中兴禁售事件更是凸显了我国高端芯片技术的不足。长江证券分析师认为, 正如 1996 年的台海危机使我国自主建设北斗系统一样,中兴事件或将促使我国意识到芯片核心竞争力的缺失,加大高端芯片研发的力度,高端芯片国产化进程有望进一步提速。
2018 年 1 月工信部发布的《中国光电子器件产业技术发展路线图(2018-2022 年)》,我国已将国内光器件产业发展提升至国家战略层面,量化了整体目标和各个细分产品的渗透率目标。
作为高端芯片的重要组成部分,高速光芯片的国产化替代进程有望加快,而以光迅科技为代表的供应商有望核心受益。国内光芯片市场尚处于起步之际,由于研发与制造的周期长,先发企业有望率先占据国内蓝海市场。中美贸易背景下,对高端芯片的国产替代进程有望进一步加快。从中美贸易摩擦大环境、政策扶持两方面看,光迅科技有望成为高速芯片发展的核心受益厂商。我们看好公司在此轮高端产品国产替代进程中继续成为引领者。