今日半导体上涨行情中第三代材料一枝独秀,聚灿光电、易事特、乾照光电等个股涨停。针对关于第三代半导体的问题,近期董秘给出了回复。
问:你好,请问公司合作比亚迪半导体创新实验室是否有包括第三代半导体SiC(碳化硅)、IGBT功率半导体等研发?
答:尊敬的投资者您好,实验室主要是基于碳化硅和车规级IGBT的相关研发和应用。感谢关注!
答:尊敬的投资者您好,第三代半导体是以碳化硅和氮化镓材料为代表。感谢关注!
问:很多LED同行都布局了关联性比较强第三代半导体氮化镓产品,公司在第三代半导体上面有哪些核心技术和布局,公司传统LED主业业绩较好,关联性特强的第三代会作为第二主业去投入和发展吗?
答:您好,感谢您的关注!公司在高端半导体封装领域有所布局。谢谢!
问:请问贵公司的钽电容是否能用在第三代半导体上?
答:尊敬的投资者您好,感谢您的关注,半导体材料和技术与钽电容没有直接关系。
问:国家预计将把大力发展第三代半导体写入十四五规划,请问贵公司这一举国政策对公司来说有哪里利好呢?
答:你好,未来五到十年,随着半导体国产化进程的推进,我司作为目前在半导体设备端及厂务端关键部件业务领域的唯一供应商,国产替代的机会是最大的,我司也会做好各方面的准备,积极应对半导体国产化的带来的机遇,感谢你对公司的关注。
问:董秘,我想问一个问题,贵公司的半导体耗材能否应用于第三代半导体的生产研发?请详细说明一下,辛苦了董秘
答:你好,第三代半导体(也称为宽能隙半导体材料)是指以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石、氧化锌(ZnO)为代表的宽禁带半导体材料,例如常用的氮化镓(GaN)的制备方法有很多种,其中主要的方法有:金属有机物气相外延(MOVPE)、分子束外延(MBE)、氢化物气相外延(HVPE)方法,都可以透过我司的真空系统与气体系统的关键传输部件与控制部件来制备,尤其是MOVPE(有时也称为MOCVD)是以物质从气相向固相转移为主的外延生长过程。含外延膜成分的气体被气相输运到加热衬底或外延表面上,通过气体分子热分解、扩散以及在衬底附近或外延的表面上的化学反应,并按一定的晶体结构排列形成外延膜或者沉积层,除了需要超高真空腔体环境下来进行化学反应,更需要UHP(超高纯)的管道系统来传输超高纯的气体才能确保制程量率。故此,我司产品无论应用在在第三代半导体新材料和功能材料领域的关系是密不可分的。感谢你对公司的关注。
问:请问董秘,欧陆通在氮化镓技术上有相应储备吗,有没有已经开发出的或是正处于研发中的氮化镓产品,谢谢
答:您好。目前公司已有产品使用氮化镓技术。相关技术储备请参考公司招股说明书。感谢您的关注。
问:贵公司氮化镓技术运用到那些产品上?在变电、电子领域市场非常广阔。
答:您好。目前公司已有电源适配器产品使用氮化镓技术。感谢您的关注。
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